Single-Event Characterization of the 20 nm Xilinx Kintex UltraScale Field-Programmable Gate Array under Heavy Ion Irradiation
Single-Event Characterization of the 20 nm Xilinx Kintex UltraScale Field-Programmable Gate Array under Heavy Ion Irradiation
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重离子辐照下 20 nm Xilinx Kintex UltraScale 现场可编程门阵列的单粒子表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kangsen Huey
中科院分区：
文献类型：
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作者：
David Lee;G. Allen;G. Swift;M. Cannon;M. Wirthlin;J. George;R. Koga;Kangsen Huey
本研究探讨了Xilinx 20 nm Kintex UltraScale现场可编程门阵列与重离子辐照的单事件响应。单粒子闩锁和单粒子翻转配置SRAM单元和块RAM存储器的结果。
This study examines the single-event response of the Xilinx 20 nm Kintex UltraScale Field-Programmable Gate Array irradiated with heavy ions. Results for single-event latch-up and single-event upset on configuration SRAM cells and Block RAM memories are provided.