Temperature of thermal spikes in amorphous silicon nitride films produced by 1.11 MeV C603+ impacts
Temperature of thermal spikes in amorphous silicon nitride films produced by 1.11 MeV C603+ impacts
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1.11 MeV C603 撞击产生的非晶氮化硅薄膜中的热峰值温度
DOI：
10.1016/j.nimb.2014.11.002
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Isoda and K. Kimura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Kitayama;K. Nakajima;M. Suzuki;K. Narumi;Y. Saitoh;M. Matsuda;M. Sataka;M. Tsujimoto;S. Isoda and K. Kimura
