Tight-Binding Quantum Chemical Molecular Dynamics Simulation on SiC Etching Process by SF6/O2 Plasma
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SF6/O2 等离子体刻蚀 SiC 过程的紧束缚量子化学分子动力学模拟
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Momoji Kubo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroshi Ito;Takuya Kuwahara;Yuji Higuchi;Nobuki Ozawa;and Momoji Kubo
