N.Usami et al.: "Enhanced nucleation of Ge islands by capping with a thin Si layer"JAppl.Phys.Lett.. 77. 217-219 (2000)
N.Usami et al.: "Enhanced nucleation of Ge islands by capping with a thin Si layer"JAppl.Phys.Lett.. 77. 217-219 (2000)
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N.Usami 等人：“通过覆盖薄硅层增强 Ge 岛的成核”JAppl.Phys.Lett.. 77. 217-219 (2000)
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