Chemical Vapor Deposition of Silicon Nitride Films Enhanced by Surface-Wave Plasma for GaN Devices
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用于 GaN 器件的表面波等离子体增强氮化硅薄膜的化学气相沉积
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and M. Furukawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Okada;K. Kawakami;T. Shinohara;T. Ishimaru;H. Sekiguchi;A. Wakahara;and M. Furukawa
