Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
Impact of oxidation process on electron scattering and roughness at 4H-SiC non-polar MOS interfaces
复制标题
氧化工艺对4H-SiC非极性MOS界面电子散射和粗糙度的影响
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Harada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Sometani;H. Hirai;M. Okamoto;T. Hatakeyama;S. Harada
