T.Noda et al: "Doping and Electrical Characteristics of in-situ Heavily B-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD"Thin Solid Films. Vol.380. 57-60 (2000)
T.Noda et al: "Doping and Electrical Characteristics of in-situ Heavily B-Doped Si_<1-x-y>Ge_xC_y Films Epitaxially Grown Using Ultraclean LPCVD"Thin Solid Films. Vol.380. 57-60 (2000)
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T.Noda 等人：“使用超净 LPCVD 外延生长的原位重 B 掺杂 Si_<1-x-y>Ge_xC_y 薄膜的掺杂和电气特性”固体薄膜。
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