GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大
GaN/AlN共鳴トンネルダイオードを用いた不揮発メモリ特性のON/OFF比増大
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使用 GaN/AlN 谐振隧道二极管提高非易失性存储器特性的开/关比
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
清水三聡
中科院分区：
文献类型：
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作者：
永瀬成範;高橋言緒;清水三聡
