Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method
Influence of electrical properties for IGZO TFT with Al2O3 gate insulators by PE-ALD method
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PE-ALD 法对 Al2O3 栅绝缘体 IGZO TFT 电性能的影响
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Ogura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Kurishima;T. Nabatame;M. Shimizu;S. Aikawa;K. Tsukagoshi;A. Ohi;T. Chikyo;A. Ogura
