"Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium", in "Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors", A. Dimoulas, E. Gusev, P.C. Mclntyre and M. Heyns (ed. )
"Interface Properties of High-k Dielectrics on Germanium", in "Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors", A. Dimoulas, E. Gusev, P.C. Mclntyre and M. Heyns (ed. )
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“高 k 电介质对锗的界面特性”，载于“高迁移率半导体的先进栅极堆栈”，A. Dimoulas、E. Gusev、P.C.
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Toriumi;K. Kita;M. Toyama;H. Nomura
