Compatibility of hydride vapor phase epitaxy process with synthesis of horizontal and vertical GaN nanowires
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氢化物气相外延工艺与水平和垂直GaN纳米线合成的兼容性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Amano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Lekhal;S. Y. Bae;H. J. Lee;Z. Sun;M. Deki;Y. Honda;and H. Amano
