High resolution InSb quantum well ballistic nanosensors for room temperature applications
High resolution InSb quantum well ballistic nanosensors for room temperature applications
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适用于室温应用的高分辨率 InSb 量子阱弹道纳米传感器
DOI：
10.1063/1.4848310
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Gilbertson A
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Gilbertson A
报道了一种准弹道型InSb量子井霍尔传感器的室温工作，该传感器在20uA偏置电流下具有560nT/√赫兹的高频率灵敏度。该器件采用分区缓冲层设计，可抑制流经台面地板的泄漏电流，并可维持大电流密度。
We report the room temperature operation of a quasi-ballistic InSb quantum well Hall sensor that exhibits a high frequency sensitivity of 560nT/√Hz at 20uA bias current. The device utilizes a partitioned buffer layer design that suppresses leakage currents through the mesa floor and can sustain large current densities.