GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJのトンネルスペクトルによるGaMnAsの電子構造の解明
GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJのトンネルスペクトルによるGaMnAsの電子構造の解明
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通过 GaMnAs/InGaAs/GaMnAs MTJ 的隧道谱阐明 GaMnAs 的电子结构
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
古川直寛
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Masaru Kotera;Yoshimasa Urushihara;Daiki Izumo;Takashi Nishino;山田博信,齊藤敦,須藤陽介,中島健介,有吉誠一郎,大嶋重利;古川直寛
