Characterization of ESD stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures
Characterization of ESD stress effects on SiC MOSFETs using photon emission spectral signatures
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使用光子发射光谱特征表征 ESD 应力对 SiC MOSFET 的影响
DOI：
10.1016/j.microrel.2017.07.013
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
O. Latry
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Moultif;E. Joubert;M. Masmoudi;O. Latry
