T.Akeyoshi,N.Yoshikawa,T.Akiyama and M.Sugahara: "FET Structure with Channel Composed of Highly Resisive Thin Film of BSCCO." Extended Abstracts of Future Electron Device(FED)High Tc Superconductor-Electronic Device(HiTcSc-ED).(2nd Workshop). 247-252 (198
T.Akeyoshi,N.Yoshikawa,T.Akiyama and M.Sugahara: "FET Structure with Channel Composed of Highly Resisive Thin Film of BSCCO." Extended Abstracts of Future Electron Device(FED)High Tc Superconductor-Electronic Device(HiTcSc-ED).(2nd Workshop). 247-252 (198
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T.Akeyoshi、N.Yoshikawa、T.Akiyama 和 M.Sugahara：“通道由 BSCCO 高阻薄膜组成的 FET 结构”。
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