A Novel Thin Al_2O_3 Gate Dielectric by ECR-plasma Oxidation of Al for AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors
A Novel Thin Al_2O_3 Gate Dielectric by ECR-plasma Oxidation of Al for AlGaN/GaN Insulated Gate Heterostructure Field-Effect Transistors
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一种新型薄Al_2O_3栅介质，通过ECR等离子体氧化Al用于AlGaN/GaN绝缘栅异质结构场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Ootomo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Yoshita;et al.;S.Ootomo
