DEPOSITION AND CHARACTERIZATION OF ALUMINUM NITRIDE THIN FILMS AS AN INSULATOR FOR GATE-CONTROL DEVICES OF MAGNETISM
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氮化铝薄膜作为磁性门控器件绝缘体的沉积和表征
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and N. Ota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Oikawa;I. Harayama;K. Nagashima;O. Sekiba;Y. Ashizawa;A. Tsukamoto;K. Nakagawa;R. Akiyama;K. Kanazawa;S. Kuroda;and N. Ota
