A.G.Bhuiyan, K.Sugita, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, V.Yu.Davydov: "Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy"Applied Physics Letters. 83.
A.G.Bhuiyan, K.Sugita, K.Kasashima, A.Hashimoto, A.Yamamoto, V.Yu.Davydov: "Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy"Applied Physics Letters. 83.
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A.G.Bhuiyan、K.Sugita、K.Kasashima、A.Hashimoto、A.Yamamoto、V.Yu.Davydov：“使用不同技术生长的吸收边在 0.7 至 2 eV 之间的单晶 InN 薄膜以及实际能带的证据
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