Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si0. 8Ge0. 2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD
Hole tunneling properties in resonant tunneling diodes with Si/Strained Si0. 8Ge0. 2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD
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Si/应变 Si0 谐振隧道二极管的空穴隧道特性。
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Murota
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Ito;M. Sakuraba;J. Murota
