Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -
Experimental evidence of layout-dependent low-k damage during plasma processing - Role of "near-field" in damage creation -
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等离子体处理过程中布局相关的低 k 损伤的实验证据 - “近场”在损伤产生中的作用 -
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ikeda;K. Eriguchi;A. Tanihara;S. Kasai;K. Ono
