Properties of a pn junction developed with a Si microprobe by vapour-liquid-solid growth using in situ doping

Properties of a pn junction developed with a Si microprobe by vapour-liquid-solid growth using in situ doping
复制标题

使用原位掺杂通过气-液-固生长的 Si 微探针开发的 pn 结的特性

DOI:
--
复制
发表时间:
2006
期刊:
Semiconductor Science and Technology Vol.21
影响因子:
--
通讯作者:
and M. Ishida
and M. Ishida
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
M.S. Islam;T. Kawashima;K. Sawada;and M. Ishida

文献摘要

相似文献