次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長
次世代パワーデバイス半導体SiCの溶液成長
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下一代功率器件半导体SiC的解决方案生长
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
宇治原徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Duhm;et al.;宇治原徹
