Barrier heights and Fermi level pinning in metal contacts on p-type GaN
Barrier heights and Fermi level pinning in metal contacts on p-type GaN
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p 型 GaN 金属接触中的势垒高度和费米能级钉扎
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Palacios
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Wahid;N. Chowdhury;Md. Kawsar Alam;T. Palacios
在这项工作中，我们研究了各种金属接触，如Ni/Au，Ir/Au，Ru/Au，Mo/Au，和W/Au的p-GaN上的电流-电压（I-V）特性。为此，我们在同一GaN外延异质结构上制作了不同的双层金属接触，保证了实验数据的一致性。然后对具有不同间距值的圆形和/或线性接触垫进行I-V测量。在每种情况下，使用反向I-V方法计算金属接触的肖特基势垒高度。在p-GaN上的所有这些结构中都发现了强的费米能级钉扎，钉扎因子为1.015。此外，对于p-GaN上的Ru/Au接触，测得非常低的欧姆接触电阻率为3.45 × 10−6 Ω cm 2。
In this work, we investigate the current–voltage (I–V) characteristics of various metal contacts such as Ni/Au, Ir/Au, Ru/Au, Mo/Au, and W/Au on p-GaN. For this, we fabricated different bilayer metal contacts on the same epitaxial heterostructure of GaN, which ensures the uniformity of the experimental data. I–V measurements were then carried out for circular and/or linear contact pads with different spacing values. In each case, the Schottky barrier height of the metal contacts is calculated using the reverse I–V method. A strong Fermi level pinning was found in all these structures on p-GaN, with a pinning factor of ∼0.15. In addition, a very low Ohmic contact resistivity of 3.45 × 10−6 Ω cm2 was measured for the Ru/Au contacts on p-GaN.