Self-Aligned Top-Gate InGaZnO Thin-Film Transistor Fabricated at 150 °C Using Coatable Organic Insulator
Self-Aligned Top-Gate InGaZnO Thin-Film Transistor Fabricated at 150 °C Using Coatable Organic Insulator
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使用可涂层有机绝缘体在 150 °C 下制造的自对准顶栅 InGaZnO 薄膜晶体管
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tatsuya Toda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
長岡 正宏;高尾 俊郎;山本真紗子;Tatsuya Toda
