永山 勝久, 蓑輪 泉: "電磁溶融プロセスを用いたGe-Si半導体および,A1系偏晶合金の組織生成に対する冷却速度依存性"日本金属学会2004年度第134回春期講演大会概要. (2004年3月発表予定). (2004)

Katsuhisa Nagayama、Izumi Minowa：“冷却速率对使用电磁熔化过程的 Ge-Si 半导体和 A1 整体合金微观结构形成的依赖” 日本金属学会 2004 年第 134 届春季会议摘要。（2004 年 3 月）（预定公布） 5 月）（2004 年）。