Sub-100-nm-Scale Patterning Using a Low-Energy Electron Beam
Sub-100-nm-Scale Patterning Using a Low-Energy Electron Beam
复制标题
使用低能电子束进行亚 100 纳米级图案化
DOI：
10.1143/jjap.31.l744
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发表时间：
1992
影响因子：
1.5
通讯作者：
T. Matsuda
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
K. Ishii;T. Matsuda
本研究探讨了利用低能电子束进行纳米尺度图案化的可行性。通过具有Zr/W肖特基电子（SE）源的减速场光学柱产生低能电子束，从而提高了分辨率。在2keV的能量下，用100 pA的电流将束聚焦到17 nm。2 keV的电子束是用来暴露一个50 nm厚的聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）抗蚀剂上的硅基板。通过仔细控制曝光剂量，可以产生95 nm的线和空间图案。
This study explores the feasibility of nanometer-scale patterning using a low-energy electron beam. Improved resolution results from low-energy electron beam generation by a retarding field optical column with a Zr/W Schottky electron (SE) source. The beam is focused to 17 nm with a current of 100 pA at an energy of 2 keV. The 2-keV electron beam is used to expose a 50-nm-thick poly(methylmethacrylate) (PMMA) resist on a Si substrate. A 95-nm line-and-space pattern can be produced by carefully controlling the exposure dose.