Temperature dependent IBIC study of 4H–SiC Schottky diodes
Temperature dependent IBIC study of 4H–SiC Schottky diodes
复制标题
4H–SiC 肖特基二极管的温度相关 IBIC 研究
DOI：
10.1016/j.nimb.2005.01.105
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发表时间：
2005
影响因子：
1.3
通讯作者：
F. Fizzotti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Vittone;V. Rigato;P. Olivero;F. Nava;C. Manfredotti;A. Logiudice;Y. Garino;F. Fizzotti
