Beam Study on the Si and SiO_2 Etching Processes by Energetic Fluorocarbon Ions

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高能氟碳离子刻蚀Si和SiO_2过程的束流研究

DOI:
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发表时间:
2004
期刊:
Journal of Applied Physics 95・5
影响因子:
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通讯作者:
H.Sugai
H.Sugai
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Toyoda;H.Morishima;R.Fukute;Y.Hori;I.Murakami;H.Sugai

文献摘要

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