SIMS Analyses of SiO2/4H-SiC(0001) Interface
SIMS Analyses of SiO2/4H-SiC(0001) Interface
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SiO2/4H-SiC(0001)界面的SIMS分析
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.389-393.1037
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Yoshikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yamashita;M. Kitabatake;O. Kusumoto;Kunimasa Takahashi;M. Uchida;Ryouko Miyanaga;H. Itoh;M. Yoshikawa
