Atomic layer epitaxy of germanium on silicon using flash heating chemical vapor deposition
Atomic layer epitaxy of germanium on silicon using flash heating chemical vapor deposition
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使用闪热化学气相沉积在硅上进行原子层外延
DOI：
10.1016/0022-0248(91)90716-i
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发表时间：
1991
影响因子：
1.8
通讯作者：
S. Ono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Sakuraba;J. Murota;N. Mikoshiba;S. Ono
