InP photonic wire waveguide using InAlAs oxide cladding layer.
InP photonic wire waveguide using InAlAs oxide cladding layer.
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InP光子线波导采用InAlAs氧化物包覆层。
DOI：
10.1364/oe.15.008422
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
3.8
通讯作者：
Y. Nakano
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Takenaka;Y. Nakano
提出了一种新型的InAlAs氧化物包层InP基光子线波导。垂直方向的InGaAsP/InAlAs氧化物结构提供了超高折射率对比度波导，并且它允许几个微米的弯曲半径而没有垂直泄漏损耗。采用三维时域光束传播法(3D TD-BPM)对具有500×300 nm矩形通道芯(折射率n~3.36)和InAlAs氧化物包层(n~2.4)的InP光子线波导进行了数值分析。我们预测，可以实现弯曲半径为3微米的U弯波导，其传输损耗为-0.5分贝。
We proposed a novel InP based photonic wire waveguide with an InAlAs oxide cladding. The InGaAsP/InAlAs-oxide structure in the vertical direction provides an ultrahigh index contrast waveguide, and it allows a bend radius of a few mum with no vertical leakage loss. The InP photonic wire waveguide with a 500x300-nm rectangular channel core (refractive index n ~ 3.36) and an InAlAs oxide cladding (n ~ 2.4) was numerically analyzed using the three-dimensional time-domain beam propagation method (3D TD-BPM). We predicted that the U-bend waveguide with a 3-mum bend radius can be realized with the propagation loss of < 0.5 dB.
影响因子：
4.1
作者：
BERENGER, JP
通讯作者：
BERENGER, JP