Cs-corrected STEM Studies of Ge Nanodots Grown on Slightly Oxidized Si(111) Surfaces
Cs-corrected STEM Studies of Ge Nanodots Grown on Slightly Oxidized Si(111) Surfaces
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在轻微氧化的 Si(111) 表面上生长的 Ge 纳米点的 Cs 校正 STEM 研究
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
E Okunishi and M Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N Tanaka;S-P Cho;A A Shklyaev;J Yamasaki;E Okunishi and M Ichikawa
