Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si (111) surface
Formation of ultrahigh density Ge nanodots on oxidized Ge/Si (111) surface
复制标题
氧化Ge/Si（111）表面超高密度Ge纳米点的形成
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M.Ichikawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Nakamura;Y.Nagatomi;K.Sugie;N.Miyata;M.Ichikawa
