レーザ3次元アトムプローブによるMOSFET構造Poly-Siゲート中のドーパント分布解析
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使用激光 3D 原子探针分析 MOSFET 结构多晶硅栅极中的掺杂剂分布
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長谷川雅幸
中科院分区：
文献类型：
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作者：
井上耕治;矢野史子;西田彰男;高見澤悠;永井康介;長谷川雅幸
