射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜

射频磁控溅射法制备Cu_2ZnSnS_4薄膜
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DOI:
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发表时间:
2012
期刊:
电子元件与材料
影响因子:
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通讯作者:
梁齐
梁齐
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
文亚南;李琳;陈士荣;史成武;梁齐

文献摘要

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