Takayoshi Shimura: "Formation of Epitaxially 0rdered Si0_2 in Oxygen-implanted Silicon durirg Thermal Annealing"J. Cryst. Growth. 263. 37-40 (2002)
Takayoshi Shimura: "Formation of Epitaxially 0rdered Si0_2 in Oxygen-implanted Silicon durirg Thermal Annealing"J. Cryst. Growth. 263. 37-40 (2002)
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Takayoshi Shimura：“在热退火过程中氧注入硅中外延0有序SiO_2的形成”J。
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