Stability of spin XOR gate operation in silicon based lateral spin device with large variations in spin transport parameters
Stability of spin XOR gate operation in silicon based lateral spin device with large variations in spin transport parameters
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自旋输运参数变化较大的硅基横向自旋器件中自旋异或门操作的稳定性
DOI：
10.1063/1.5129980
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
1.6
通讯作者：
and Masashi Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryoma Ishihara;Soobeom Lee;Yuichiro Ando;Ryo Ohshima;Minori Goto; Shinji Miwa;Yoshishige Suzuki;Hayato Koike;and Masashi Shiraishi
