Suppression of the Transient Current of MOS Consisting of HfAlO_x as Gate Dielectrics Studied by Positron Annihilation
Suppression of the Transient Current of MOS Consisting of HfAlO_x as Gate Dielectrics Studied by Positron Annihilation
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正电子湮灭对HfAlO_x栅介质MOS瞬态电流的抑制研究
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Uedono et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X.Li;L.Wang;T.Onda;T.Akao;M.Hayakawa;上殿明良ほか;上殿明良ほか;K.Yamabe et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;K.Yamabe et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.;A.Uedono et al.
