The determination of charge‐carrier lifetime in silicon

The determination of charge‐carrier lifetime in silicon
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硅中载流子寿命的测定

DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kunst
M. Kunst
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
D. Klein;F. Wuensch;M. Kunst

文献摘要

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本文讨论了非接触式光电导测量方法在硅材料电学表征中的应用。不同的技术进行了介绍和讨论。给出了解释测量结果的理论。通过一些示例性实验，示出了可以从这些测量获得哪些信息。（© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA，魏因海姆）
Contactless measurements of the photoconductance for the electrical characterization of silicon are discussed. The different techniques are presented and discussed. The theory for the interpretation of the measurements is given. By some exemplary experiments it is shown which information can be obtained from these measurements. (© 2008 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)