Study on effect of impurity doping on transport properties in topological insulator Bi2Se3
Study on effect of impurity doping on transport properties in topological insulator Bi2Se3
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杂质掺杂对拓扑绝缘体Bi2Se3传输特性影响研究
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshihiro Kubozono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Takaki Uchiyama;Hidenori Goto;Kaya Kobayashi;Jun Akimitsu;Ritsuko Eguchi;Yoshihiro Kubozono
