Charge Transfer at the Hetero-Interface of WSe2/InSe Induces Efficient Doping to Achieve Multi-Functional Lateral Homo-Junctions
Charge Transfer at the Hetero-Interface of WSe2/InSe Induces Efficient Doping to Achieve Multi-Functional Lateral Homo-Junctions
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WSe2/InSe异质界面上的电荷转移诱导有效掺杂以实现多功能横向同质结
DOI：
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发表时间：
2021
影响因子：
6.2
通讯作者：
Cheng-Yan Xu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Bo Xu;Yang Li;Zhao-Yuan Sun;Ze Zhao;Li Yang;Feng Gao;Ping-An Hu;Liang Zhen;Cheng-Yan Xu
