All Oxide transparent MISFET using high- k dielectrics gates
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DOI：
10.1016/j.mee.2004.01.007
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发表时间：
2004-05
影响因子：
2.3
通讯作者：
K. Nomura;H. Ohta;Kazushige Ueda;T. Kamiya;M. Hirano;H. Hosono
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Nomura;H. Ohta;Kazushige Ueda;T. Kamiya;M. Hirano;H. Hosono
