ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長
ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長
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使用雾气CVD法通过范德华外延法外延生长柔性ε-Ga2O3薄膜
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
吉本昌広
中科院分区：
文献类型：
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作者：
新田悠汰;田原大祐;西中浩之;吉本昌広
