4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics
4H-SiC MOSFETs and Logic Inverters for Radiation-Hardened Electronics
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用于抗辐射电子产品的 4H-SiC MOSFET 和逻辑逆变器
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Carl-Mikael Zetterling
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shin-Ichiro Kuroki;Hirofumi Nagatsuma;Tatsuya Kurose;Milantha De Silva;Seiji Ishikawa;Tomonori Maeda;Hiroshi Sezaki;Takamaro Kikkawa;Takahiro Makino;Takashi Ohshima;Mikael Ostling;and Carl-Mikael Zetterling
