Self-Aligned Planar Metal Double- Gate Junctionless P-Channel Low- Temperature Poly-Ge TFTs with High-K Gate Dielectric on Glass Substrate
Self-Aligned Planar Metal Double- Gate Junctionless P-Channel Low- Temperature Poly-Ge TFTs with High-K Gate Dielectric on Glass Substrate
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玻璃基板上具有高 K 栅极电介质的自对准平面金属双栅极无结 P 沟道低温多晶硅 TFT
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Akito Hara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuya Nishimura;Takuya Nakashima;and Akito Hara
