Fabrication and characterization of physically-defined double quantum dots without unintentional localized states on highly-doped silicon substrate
Fabrication and characterization of physically-defined double quantum dots without unintentional localized states on highly-doped silicon substrate
复制标题
高掺杂硅衬底上无无意局域态的物理定义双量子点的制造和表征
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Oda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yamaoka;T. Kodera;S. Oda
