Analysis of radiation induced defects in wide band gap AlInGaP forsuper-high efficiency and radiation resistant multi junction solar cells.
Analysis of radiation induced defects in wide band gap AlInGaP forsuper-high efficiency and radiation resistant multi junction solar cells.
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超高效率抗辐射多结太阳能电池宽带隙 AlInGaP 中辐射引起的缺陷分析。
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Khan et al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Miyamoto T.;Yoshimura Y.;Sato K.;Motoyoshi Y.;Dunkley D.H.;Carson C.J.;A.Khan et al.
