Drain depletion length in InAlN/GaN MIS-HEMTs with slant field plates
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具有倾斜场板的 InAlN/GaN MIS-HEMT 中的漏极耗尽长度
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Suemitsu
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Yasukawa;S. Hatakeyama;T. Yoshida;T. Kimura;T. Matsuoka;T. Otsuji;and T. Suemitsu
