Effects of Total Ionizing Dose on SRAM Physical Unclonable Functions
Effects of Total Ionizing Dose on SRAM Physical Unclonable Functions
复制标题
总电离剂量对 SRAM 物理不可克隆功能的影响
DOI：
10.1109/tns.2022.3146279
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发表时间：
2022
影响因子：
1.8
通讯作者：
Loveless, T. D.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Lawrence, S. P.;Smith, S. C.;Cannon, J. M.;Carpenter, J. L.;Reising, D. R.;Loveless, T. D.
