T.Kato: "Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1101) facet of wurtzite GaN grown on a (111)Si substrate by selective MOVPE"Institute of Physics Conf.Ser.. 170. 789-794 (2002)
T.Kato: "Fabrication of GaN/AlGaN MQW on (1101) facet of wurtzite GaN grown on a (111)Si substrate by selective MOVPE"Institute of Physics Conf.Ser.. 170. 789-794 (2002)
复制标题
T.Kato：“通过选择性 MOVPE 在 (111)Si 衬底上生长的纤锌矿 GaN 的 (1101) 面上制作 GaN/AlGaN MQW”物理研究所会议系列.. 170. 789-794 (2002)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
